有機(jī)硅材料測試電壓擊穿有哪些耐電特性？
大家在日常使用電壓擊穿的時候，有好多是有機(jī)硅材料，那么有哪些耐電特性？下面我來為大家解答一下:
絕緣材料擊穿是在電應(yīng)力作用下導(dǎo)致材料內(nèi)部絕緣性能嚴(yán)重?fù)p失，發(fā)生穿孔或出現(xiàn)碳化通道，并引起回路電流的現(xiàn)象。材料的電擊穿特性直觀反映了材料的電絕緣能力。本文搭建了有機(jī)硅凝膠工頻耐電特性實驗平臺，研究溫度對有機(jī)硅凝膠耐電特性的影響規(guī)律。實驗設(shè)計依據(jù) IEC 60243標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計實驗平臺如圖 10 所示，交流電壓源輸出電壓 0～100kV，電壓畸變率小于 2%，升壓速率 2kV/s，升壓曲線如圖 10 所示。被測試品的模具容積為 200mL，電極為銅制球球電極，電極直徑 13mm，電極間距 1mm?；趯嶒炇覂?nèi)制備的有機(jī)硅凝膠樣品，測試了不同溫度下有機(jī)硅凝膠的工頻耐電特性。球球電極結(jié)構(gòu)下，擊穿場強(qiáng)近似計算公式為：Ebd=Ubd/sη
式中，Ebd 為擊穿場強(qiáng)峰值；Ubd 為擊穿電壓最大值；s 為氣隙間距；h 為 Schwaiger 系數(shù)，對于較均勻場，n取值為 0.9。
實驗結(jié)果展示了有機(jī)硅凝膠的擊穿現(xiàn)象及擊穿通道。Ⅰ展示了發(fā)生擊穿瞬間，有機(jī)硅凝膠產(chǎn)生強(qiáng)烈的光信號；Ⅱ展示了放電發(fā)生后瞬間，球球電極間產(chǎn)生了氣泡，并且在顯微鏡下觀察了氣泡形態(tài)；擊穿后的樣品放置一段時間后，將進(jìn)入Ⅲ狀態(tài)，球球電極間的氣泡變??；最終形成圖 11 中Ⅳ所示的電樹枝通道，此時硅凝膠喪失耐壓能力。絕緣材料的擊穿起始于材料內(nèi)部絕緣弱點，而聚合物中的缺陷是隨機(jī)分布的，因此聚合物的擊
穿事件符合一定的統(tǒng)計規(guī)律，一般采用多個樣本，可通過概率分布統(tǒng)計法評估聚合物的擊穿電壓。Weibull 分布基于弱點擊穿理論構(gòu)建，雙參數(shù) Weibull分布廣泛應(yīng)用于分析絕緣材料的擊穿電壓。根據(jù)Weibull 分布函數(shù)特征，有機(jī)硅凝膠的擊穿電壓對應(yīng)于 63%累積概率處的擊穿電壓。Weibull 分布的累積概率函數(shù)（Cumulative Probability Function, CDF）可表示為：
式中，P 為累積概率密度分布函數(shù)；a 為 63%對應(yīng)的分位數(shù)，也稱為尺度參數(shù)，表示發(fā)生概率為 63%的擊穿電壓值；b 為度量分散程度的 Weibull 指數(shù)，也稱為形狀參數(shù)，表示擊穿電壓的變化幅度，b 越大，其擊穿場強(qiáng)變化幅度越小；U 為有機(jī)硅凝膠的擊穿電壓。測試了傳統(tǒng)脫氣曲線與改進(jìn)脫氣曲線制備的有機(jī)硅凝膠樣品在 200℃的恒溫箱中處理后的擊穿電壓值，通過式（3）計算 Weibull 分布得出累計概率密度曲線，200℃下制備工藝對有機(jī)硅凝膠擊穿電壓的影響200℃下，原始制備工藝得到的有機(jī)硅凝膠樣品內(nèi)出現(xiàn)氣泡，依據(jù) Weibull 分布統(tǒng)計得到工頻耐受電壓為 31.30kV；而改進(jìn)的制備工藝得到的有機(jī)硅凝膠樣品在 200℃下未見氣泡，工頻耐受電壓為35.34kV。對比兩種制備工藝獲得的有機(jī)硅凝膠樣品，改進(jìn)的制備工藝使得有機(jī)硅凝膠樣品在 200℃下耐壓能力提升了 12.9%。
為獲得溫度對有機(jī)硅凝膠耐壓特性的影響規(guī)律，測試了不同溫度下有機(jī)硅凝膠的工頻擊穿電壓，依據(jù)式（3）計算 Weibull 分布，得出每個溫度點下的累計概率密度曲線如圖 13 所示。不同溫度下有機(jī)凝膠的 Weibull 分布參數(shù)見表 2。
根據(jù) Weibull 分布統(tǒng)計結(jié)果，獲得了不同溫度下，有機(jī)硅凝膠的擊穿場強(qiáng)，如圖 14 所示。從圖14 可知，溫度對有機(jī)硅凝膠的絕緣性能有重要影響，隨著溫度升高，23～80℃之間，有機(jī)硅凝膠的擊穿場強(qiáng)有所降低，但降低程度較?。划?dāng)溫度達(dá)到120℃左右時，有機(jī)硅凝膠的擊穿場強(qiáng)明顯下降；當(dāng)溫度達(dá)到 200℃時，有機(jī)硅凝膠的擊穿場強(qiáng)只有約常溫下的一半。
